MT29F2G08ABAEAH4:E TR

Hersteller: Micron Technology Inc.
Hersteller-Teilenummer:MT29F2G08ABAEAH4:E TR
Auf Lager: 2000
Kategorie: Speicher
Standardlieferzeit des Herstellers: 2 Wochen
Beschreibung:FLASH - NAND Memory IC 2Gbit Parallel 63-VFBGA (9x11)
cert
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MT29F2G08ABAEAH4:E TR

Produkteigenschaften
TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Speicher
Herst. Micron Technology Inc.
Serie -
Produktstatus Aktiv
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gehäuse / Hülle 63-VFBGA
Montagetyp Oberflächenmontage
Memory Size 2Gbit
Memory Type Non-Volatile
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Spannungsversorgung 2.7V ~ 3.6V
Technology FLASH - NAND
Memory Format FLASH
Lieferantengerätepaket 63-VFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page -
Memory Interface Parallel
Memory Organization 256M x 8
DigiKey Programmable Not Verified
Umwelt- und Exportklassifikationen
EIGENSCHAFT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3 Compliant
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Hours)
REACH-Status Reach unaffected
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071
Gurtabschnitt (CT)
MENGE STÜCKPREIS GESAMTPREIS
1000 $2.50642 $2506.42
2000 $2.47975 $4959.5
3000 $2.38309 $7149.27
Mindestbestellmenge:1000
Paket
Schritt 1
Produkt
Schritt 2
Gehäuse Antriebsrohr
Schritt 3
Antistatische Tasche
Schritt 4
Verpackungskartons
Schritt 5
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